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Si4505DY
Vishay Siliconix
P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
10
T J = 150 ° C
0.20
0.15
0.10
I D = 5 A
1
T J = 25 ° C
0.05
0.00
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
0.4
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.3
I D = 250 μ A
80
0.2
60
0.1
40
0.0
- 0.1
- 0.2
20
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperature ( ° C)
Threshold Voltage
100
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Limited
1 mS
10
by R DS(on) *
10 mS
1
100 mS
1S
0.1
0.01
0.1
T A = 25 °C
Single Pulse
10 S
DC
1 10
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
Document Number: 71826
S09-0868-Rev. C, 18-May-09
www.vishay.com
7
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